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用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺

637   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:11:18
本发明公开了一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺,其中用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层的原料及配比构成如下:高纯氢化钛粉(TiH2)55‑65wt.%;高纯硅粉(Si)20‑25wt.%;高纯石墨粉(C)12‑17wt.%;高纯铝粉(Al)1‑3wt.%。本发明利用放电等离子烧结技术(Spark Plasma Sintering,SPS),在真空条件下制备了连接层厚度为20‑100μm的碳化硅(SiC)接头。连接层材料主要由钛碳化硅(Ti3SiC2)、碳化硅(SiC)和碳化钛(TiC)组成。通过改变原料的配比和烧结的工艺参数,室温下最高的剪切强度达到了135.8MPa,连接层复合材料硬度可达28.1GPa,超过了SiC母材的硬度,具有较高的实用价值。
声明:
“用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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