本发明涉及一种半导体制造装置用部件、其制法以及附带有轴的加热器。本发明的半导体制造装置用部件是接合于氮化铝基部件的部件,作为材料,使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的
复合材料。氮化铝假多晶型具有27R相及21R相中的至少一种周期结构,或者,氮化铝假多晶型的X射线衍射峰至少出现在2θ=59.8~60.8°。复合材料在室温下的热传导率为50W/mK以下。
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