本发明公开了一种基于5G信号传输用
半导体材料,涉及半导体技术领域。本发明以重量份计,该半导体材料包括:聚合物基底100份、散热
复合材料5‑15份、耐穿抗静电复合材料2‑6份、导电材料1‑20份、第一附加剂8‑15份、填料2‑15份、交联剂1‑5份、有机溶剂250‑400份;聚合物基底为聚二甲基硅氧烷、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚氯乙烯的一种。本发明通过散热材料、耐穿刺抗静电材料及导电材料在半导体性上的复合,能够有效提高该半导体的散热、耐穿刺和抗静电性能,通过上述性能的提高,继而能够使之与5G信号的使用环境进行高匹配。
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