合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 复合材料技术

> 基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管

基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管

1108   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:09:20
本发明公开了一种基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管,解决现有III-V族材料制备的隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、漏极(2)、沟道(3)、源极(4)、氧化层(5)和栅电极(6)。沟道和漏极均采用Bi组分为(0,0.09]的GaAsBi复合材料;源极采用N组分为(0.0,0.1]的Ga(In)AsN复合材料;源极、沟道、漏极依次竖直分布,氧化层与栅电极包裹在沟道外部。本发明通过源极Ga(In)AsN与沟道GaAsBi的相互接触形成交错型异质隧穿结,减小了隧穿势垒高度,增大了隧穿几率和隧穿电流,提升了器件的整体性能,可用于制作大规模集成电路。
声明:
“基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
复合材料
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记