本发明涉及一种复合屏蔽材料及其制备方法,特别涉及用于同位素中子源、核设施中子辐射的复合屏蔽材料及其制备方法。其特征在于:所述铅硼聚乙烯复合屏蔽材料包括下述配比成分:45-70重量份的铅;50-25重量份的聚乙烯;5重量份的碳化硼。与现有的铁等金属材料相比,本发明的屏蔽
复合材料不仅重量轻,还能够根据中子和γ射线分布情况采用相应密度,而且具有良好的中子辐射屏蔽性能和γ辐射屏蔽性能。
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