本发明提供一种应用TSV技术的电子器件及其制作方法,涉及微电子技术领域。本发明提供的应用TSV技术的电子器件包括至少一个半导体衬底,所述半导体衬底上设置有至少一个连接孔,连接孔贯穿半导体衬底,连接孔内填充有导电体,导电体的一端用于与第一电子元件电连接,导电体的另一端用于与第二电子元件电连接,导电体具有第二熔点,导电体由导电
复合材料在室温下自身内部发生反应后形成,导电复合材料为由具有第一熔点的低熔点金属和熔点在500℃以上的高熔点粉末部分合金化后形成的混合物,第二熔点高于所述第一熔点,且第一熔点在300℃以下。本发明的技术方案能够简单快速地应用TSV技术实现不同电子元件的电连接。
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