本发明公开了一种可在低温下烧结的高频介电 陶瓷材料,是在Bi基焦绿石陶瓷的基础上,从材料科学的角 度出发,依据焦绿石结晶化学原理,通过适量的离子取代而形 成的以焦绿石为主晶相的介电陶瓷
复合材料体系。该低温烧结 高频介电陶瓷材料结构表达式为:(Bi3xZn2-3x)(Znx-y/3Nb2-x-2y/3May)O7和(Bi3xZn2-3x)(ZnxNb2-x-yMby)O7,其中Ma=Sn4+、Zr4+,Mb=Sb5+、Ta5+、Mo5+,0.45≤x≤0.67,0≤y≤1.5。本发明的高性能低温烧结高频电介质陶瓷具有以下特点:介电常数高(ε=25~80),介质损耗小(tanδ<3×10-4),介电常数温度系数覆盖范围宽(αε=-300ppm/℃~+60ppm/℃),烧结温度低(840℃~1060℃),绝缘电阻大(ρv≥1012Ω·cm),抗电强度高(Eb≥10KV/mm),工艺简单,并且介电常数温度系数在-55℃~125℃的范围内可以根据材料组成调节。
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