本发明涉及一种利用类金刚石薄膜(DLC)提高
碳纳米管(CNT)场发射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC,从而提高CNT的场发射性能。DLC薄膜具有负的表面亲和势特性,可以改变CNT的表面性质,降低CNT场致发射的开启场强,提高CNT的场发射电流密度;DLC薄膜含有碳原子sp3杂化结构成分,具有较好的机械性能,在一定程度上能够对包裹的CNT起到保护作用,提高CNT场发射性能的稳定性;该方法可以生长整齐排列的直立CNT和DLC
复合材料的阵列结构,并且可以通过调控生长参数获得理想的CNT和DLC复合材料,便于实际应用。
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