本发明公开了一种高致密度高纯度硅碳
负极材料的制备方法,涉及
复合材料制备技术领域,负极材料包括均匀致密分布的硅、碳,所述材料密度满足ρ1/ρ2≥95%,其中ρ1为实际测试密度,ρ2为理论密度。制备方法将碳素原料和硅原料进行物理气相沉积,冷却后得到高致密度高纯度
硅碳负极材料,物理沉积可采用同步或交替沉积的方式进行,利用无定形碳和气相硅源,形成均匀致密的复合材料结构,该材料由亚纳米级硅均匀地分布在无定型碳中,这种致密结构能提高材料的振实,且能有效缓解充放电过程中的体积效应。同时硅颗粒为亚纳米级,其自身膨胀相对纳米硅较小,能进一步提高其循环性能。
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