本发明公开了一种半导体元件用散热器件,其于包含含有40~70体积%的金刚石粒子且剩余部分是以铝为主成分的金属、厚度为0.4~6mm的板状体的两面,被覆由以铝为主成分的金属或铝-陶瓷系
复合材料形成的被覆层而形成铝-金刚石系复合体,在其至少两主面,从主面侧依序形成(1)膜厚0.1~1μm的非晶态的Ni合金层、(2)膜厚1~5μm的Ni层、及(3)膜厚0.05~4μm的Au层而成,此处,Ni合金层和Ni层的比率(Ni合金层厚/Ni层厚)为0.3以下。
声明:
“半导体元件用散热器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)