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用振动加速沉降技术制备SiCp/A1电子封装零件的方法

702   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 17:02:45
本发明涉及用振动加速沉降技术制备SiCp/Al电子封装零件的方法，属于电 子封装零件制备技术领域。以SiCp/Al复合材料为原料，将熔融SiCp/Al复合材 料浇注入成型模具中并保温，采用振动激励加速沉降高温SiCp/Al复合材料熔体 中的SiC颗粒到熔体下部，冷却凝固后切割掉位于铸件上部的完全由Al-Si合 金构成的部分，制备出体积分数为45～70％的SiCp/Al电子封装零件，所述零件 的材料具有高热导率、低热膨胀系数、SiC颗粒分布均匀和高致密度的特点，并 且制备过程中工艺和设备简单、制备周期短、能净终成形，有成本低、孔隙率 低和材料性能好的优点。
声明：
“用振动加速沉降技术制备SiCp/A1电子封装零件的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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