本发明提供一种
半导体材料Cu
2O@Au的制备方法及应用,包括:将
纳米材料Cu
2O在超声条件下分散于含有Au(III)离子及化合物的溶液中,使纳米Cu
2O均匀分散,然后在搅拌下陈化一段时间,使纳米Cu
2O对金属离子的吸附达到饱和;将上述溶液离心分离,将沉淀即吸附了Au(III)离子及化合物的纳米Cu
2O漂洗后搅拌分散在一定浓度的还原剂溶液中,充分反应,然后分离、漂洗、干燥,即得Cu
2O@Au纳米半导体
复合材料。该方法操作简单,时间短,成本低,环境友好,重复性好,效率高,能快速有效的制备纳米半导体复合材料,具有普适性和规模生产价值。本发明制备的纳米半导体复合材料Cu
2O@Au在光降解等领域具有广阔的应用前景。
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“半导体材料Cu2O@Au的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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