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低温还原制备高首效氧化亚硅的方法及其应用

1016   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:00:09
本发明涉及一种低温还原制备高首效氧化亚硅的方法及其应用,属于储能材料技术领域,包括以下步骤:将氧化亚硅和碳源混合,于600℃‑1200℃保护气气氛中,保温处理,得到碳源包覆硅氧基复合材料;将上述碳源包覆硅氧基复合材料、镁粉和三氯化铝混合后,150℃‑500℃保护气气氛中,保温处理,获得复合材料的还原产物,经过酸洗、醇洗和水洗,干燥得到高首效氧化亚硅,本发明采用低温还原方式,一方面可以避免高温下材料晶体尺寸长大,在实现高首效的同时保证材料的循环稳定性;另一方面低温处理,可以有效保留包覆后形成的无定形碳层,同时可以有效避免反应过程中碳层扩散至材料空隙内部,无需二次包覆。
声明:
“低温还原制备高首效氧化亚硅的方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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