本发明涉及一种低温还原制备高首效氧化亚硅的方法及其应用,属于
储能材料技术领域,包括以下步骤:将氧化亚硅和碳源混合,于600℃‑1200℃保护气气氛中,保温处理,得到碳源包覆硅氧基
复合材料;将上述碳源包覆硅氧基复合材料、镁粉和三氯化铝混合后,150℃‑500℃保护气气氛中,保温处理,获得复合材料的还原产物,经过酸洗、醇洗和水洗,干燥得到高首效氧化亚硅,本发明采用低温还原方式,一方面可以避免高温下材料晶体尺寸长大,在实现高首效的同时保证材料的循环稳定性;另一方面低温处理,可以有效保留包覆后形成的无定形碳层,同时可以有效避免反应过程中碳层扩散至材料空隙内部,无需二次包覆。
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