本发明涉及
复合材料技术领域,具体为一种AlSiC/AlSi两相材料的制备方法,以及由该制备方法制备的AlSiC/AlSi两相材料。本发明先通过使用由所述不同粒径的碳化硅粉料、
氧化铝、高岭土、苏州土形成的粉料制备形成多孔碳化硅陶瓷基体M6,再由含有所述不同粒径的硅粉的硅蜡浆料M7在陶瓷基体M6的基础上制备形成硅与碳化硅表层扩散相结合的陶瓷基体M9,最后向陶瓷基体M9中渗透铝制备形成具有AlSiC和AlSi两相的复合材料,该复合材料结合铝碳化硅和铝硅优势于一体,导热率高、膨胀系数可调、密度低、强度好。
声明:
“AlSiC/AlSi两相材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)