本发明公开一种半导体结构的制作方法及其平坦化制作工艺,其中该半导体结构的制作方法包括:提供具有第一表面的基板;形成沟槽于第一表面上,沟槽包含底面及侧壁;利用高纯度氩气或高纯度氢气对具有沟槽的基板进行退火处理,以平坦化底面及侧壁;共形设置
复合材料层以覆盖第一表面、底面及侧壁;设置
多晶硅材料层于沟槽内;移除第一表面上的复合材料层;形成多层金属内连线结构于第一表面及多晶硅材料层上,其中,多层金属内连线结构包含微机电系统框架结构及多个通孔;移除多晶硅材料层及复合材料层;以及利用包含有惰性气体及氢气的等离子体,对沟槽进行等离子体处理,使底面及侧壁平坦化。
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