本实用新型涉及一种基于Cds‑SiO2纳米复合板的多层电路板,包括复合板层、上导体层、下导体层;复合板层包括上
复合材料层、下复合材料层、上散热层以及下散热层,上复合材料层包括上聚合物基体、若干上纳米管束以及上催化层,上纳米管束间隔排列在上聚合物基体中,上催化层设置于上纳米管束和上导体层之间,上纳米管束的上端均穿过上散热层与上导电图形电连接;下复合材料层包括下聚合物基体、若干下纳米管束以及下催化层,下纳米管束间隔排列在下聚合物基体中,下催化层设置于所有下纳米管束和下导体层之间,下纳米管束的上端均穿过下散热层与下导电图形电连接;上纳米管束的下端与对应的下纳米管束的上端连接。
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