本发明公开了一种基于InAsN-GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管,主要解决现有III-V族材料制备场效应晶体管开态电流较低的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘介电质薄膜(5)及栅电极(6)。源极采用N组分为(0,0.05]的InAsN
复合材料;沟道和漏极均采用Sb组分为[0.35,0.65]的GaAsSb复合材料;在衬底上,源极、沟道、漏极形成自下而上竖直分布。本发明通过源极InAsN与沟道GaAsSb两种材料相互接触,形成交错型异质隧穿结,进而有效降了低隧穿势垒高度,增大隧穿几率和隧穿电流,提了器件的整体性能,可用于制作大规模集成电路。
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