本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法,包括以下步骤:1)制作单层结构
复合材料:2)制作多层结构复合材料:3)测量电子束在复合材料中的透射系数:4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数:5)修正电子透射系数;6)采用屏蔽效果最好的复合材料,在器件的相应
芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时,使封装质量最小,可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
声明:
“提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)