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场发射电子源器件及其制备方法

656   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:58:02
一种场发射电子源器件及其制备方法,它有封入真空容器内的场发射电子源和阳极,场发射电子源包括基片上的阴极、栅极及其间层结构,其特征是引出栅极电极的厚金属膜与阴极之间为绝缘层,而与厚金属膜相连的、具有大量微孔的薄金属膜与阴极之间为复合体层。上述的间层结构指位于阴极与栅极之间的绝缘层、半导体层、复合体层。上述的薄金属膜指厚度在50纳米以内、具有大量微孔的金属膜。其制备方法是利用微电子工艺在硅、玻璃等基板上的阴极上制备有复合材料层薄膜,再在上述的复合材料薄膜表面上有薄金属膜栅极,将上述器件与阳极密封在真空容器内而成。本发明工艺简单,结构合理,具有驱动电压低、发射电流密度高、电子束发散小,发射率高等优点。
声明:
“场发射电子源器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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