本发明提供一种介电材料增强AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管跨导的方法,是在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的源极与栅极之间和漏极与栅极之间填充高K有机介质材料,其中,高K有机介质材料是介电常数大于2的液体有机材料、高K固体有机材料、高K有机
复合材料、高K有机/无机复合材料中的一种。可以是液态,也可以是固态。该法能大幅度增强AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的跨导,在阀值电压基本相当的情况下,跨导增强可达70%。主要用于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。
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