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基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长AlmGa1‑mN的方法

958   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:50:22
本发明涉及一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长AlmGa1‑mN的方法。具体地,本发明公开了一种复合材料以及所述复合材料的制备方法和应用。所述复合材料所包含的外延薄膜的位错密度、薄膜裂纹密度和薄膜表面粗糙度得到综合改善,因此可获得晶体质量、薄膜完整性和表面形貌平衡提升的复合材料,同时,基于这种复合材料可以大大缩短外延芯片的生长时间,全面提升包含所述复合材料的光电器件或功率器件的性能和产率。所述方法具有工艺简单、成本低、产品良率高等特点。
声明:
“基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长AlmGa1‑mN的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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