本发明涉及一种近零膨胀特性的C/SiC结构材料的制备方法,将连续炭纤维制备成纤维预制体,其纤维体积分数≥40%,通过化学气相渗透(CVI)工艺在纤维束丝表面制备热解碳界面层并进行高温处理,采用化学气相渗透工艺(CVI)在界面相表面沉积13~18%体积分数的碳化硅,使用浆料渗透结合反应熔体渗透工艺(RMI)迅速制备多相陶瓷基体,最后通过化学气相沉积(CVD)工艺制备碳化硅涂层进行表面封填。优点:(1)大幅度降低了现有陶瓷基
复合材料的线膨胀系数,由本方法制备的陶瓷基复合材料线膨胀系数接近于零(小于1×10
‑7/K);(2)有效地提高了复合材料的均匀性和致密度;(3)缩短了材料制备周期。
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