本发明公开了一种应变SiGeSn鳍型光电探测器,主要解决现有光电探测器中材料毒性大、成本高的问题。其自下而上包括:下电极(102)、吸收区(103)、上电极(104)和应力薄膜(105);吸收区(103)采用空隙与SiGeSn
复合材料相交错构成的鳍型结构,该SiGeSn复合材料在衬底(101)上外延不同组分的Ge和Sn获得,其通式为Si1-x-yGeySnx,其中0≤x≤0.25,0≤y≤0.75;应力薄膜(105)包裹在吸收区(103)的侧面和上电极(104)表面。本发明通过应力薄膜(105)在SiGeSn复合材料中产生的应变改变吸收区(103)带隙,提高了探测器的光谱响应范围。
声明:
“应变SiGeSn鳍型光电探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)