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原位合成A1N/A1电子封装材料的方法

900   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:50:21
本发明公开了一种原位合成AlN/Al电子封装材料的方法,将一定摩尔比的Al粉和NH4Cl均匀混合后,在20~30MPa压力下模压成型,再在200~400MPa压力下冷等静压成型,将干压成型后的生坯放入热压烧结炉中,预抽真空后关闭热压烧结炉的真空阀,通入N2使炉内气压回升到常压,在700~1000℃的温度下烧结制成AlN/Al复合材料。本发明的优点为:本发明所制备的AlN/Al复合材料中AlN为原位合成,与金属Al具有很好的界面结合;原料来源广、价格便宜,AlN的体积分数可以通过NH4Cl的添加量来控制;所制备的AlN/Al复合材料的热导率高,热膨胀系数与Si接近,完全能够满足电子封装的要求。
声明:
“原位合成A1N/A1电子封装材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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