本发明公开了一种原位合成AlN/Al电子封装材料的方法,将一定摩尔比的Al粉和NH4Cl均匀混合后,在20~30MPa压力下模压成型,再在200~400MPa压力下冷等静压成型,将干压成型后的生坯放入热压烧结炉中,预抽真空后关闭热压烧结炉的真空阀,通入N2使炉内气压回升到常压,在700~1000℃的温度下烧结制成AlN/Al
复合材料。本发明的优点为:本发明所制备的AlN/Al复合材料中AlN为原位合成,与金属Al具有很好的界面结合;原料来源广、价格便宜,AlN的体积分数可以通过NH4Cl的添加量来控制;所制备的AlN/Al复合材料的热导率高,热膨胀系数与Si接近,完全能够满足电子封装的要求。
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