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基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料及其制备方法

904   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:47:20
本发明提供一种基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料及其制备方法,该电子封装材料包括Al‑W‑Si三元复合材料和含Al‑W‑Si三元复合材料粉末的高分子涂层,具体制备方法为:将铝硅合金经气雾化设备制备得到铝硅合金雾化粉末,然后与W粉末球磨,得到Al‑W‑Si三元复合材料粉末;将Al‑W‑Si三元复合材料粉末装入钢制包套内,经过预压,真空除气、真空热压使之致密化,经机加工,形成Al‑W‑Si三元复合材料;将聚氨酯改性环氧树脂与Al‑W‑Si三元复合材料粉末混合,涂覆到Al‑W‑Si三元复合材料上固化,得到基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料。本发明制备的电子封装材料具有低质、高导热、低碰撞系数和抗辐射加固性能。
声明:
“基于Al‑W‑Si的抗辐射电子封装材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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