在实际的电子部件(包括半导体器件)等中获得寻求热膨胀率与热传导率平衡的适当特性。其方法为:使高压容器处于初始状态(S1),在第一室处于下方位置后,把铜或铜合金放入第一室,把SiC设置在第二室(S2)。随后,在密封高压容器后,通过排气管进行高压容器内的抽真空(S3)。接着,使热丝通电,加热熔解第一室的铜或铜合金(S4)。在第一室内的熔融铜达到预定温度阶段,180度地旋转高压容器(S5),SiC处于在熔融铜中的被浸渍状态(S6)。然后,通过气体导入管向高压容器内导入浸渍气体,通过使该高压容器加压,把熔融铜浸渍在SiC中。随后,在使高压容器旋转180度后(S7),在通过气体导出管对高压容器内的浸渍气体排气的同时,通过气体导入管把冷却气体向高压容器内导入(S8)。
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