本发明首次提出了一种以GaN/Al2O3做 为一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物外延的复合衬底及其制备方法和 有关的质量要求; 直接生长GaN等Ⅲ-Ⅴ族氮化物单晶薄 膜, 提高成品率, 有好的重复性, 涉及以GaN为基础的光发 射二极管(LED)、激光器(LD)、场效应晶体管(FET)、光 电探测器等器件的制备, 并直接和Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体的 光电器件、电子学器件的制备技术有关。
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“GaN/Al2O3复合材料在Ⅲ-V族氮化物外延生长中做衬底的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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