本发明公布了一种高强度高阻尼Ti2AlC‑Mg基
复合材料及其铸造制备方法。该材料中Ti2AlC的体积含量为5‑20vol%,其余为Mg基合金。该材料的显微结构为陶瓷相Ti2AlC与金属相Mg基合金各自呈三维空间连续分布,其中陶瓷相Ti2AlC颗粒分布在Mg基体晶界处,原位拉伸实验表明,二者界面结合牢固,裂纹萌生在Ti2AlC晶粒中,而不是两相的界面处。制备方法:将Mg合金在CO2/SF6保护气氛下熔化再降温至450‑550℃,把不同粒径的Ti2AlC粉体加入到高速搅拌的半固态Mg熔体中。在半固态状态搅拌30‑60mins结束后, 重新加热到680‑750℃并搅拌。最后,将含有Ti2AlC的Mg熔体浇铸到不锈钢磨具中保压50‑100MPa冷却至室温。与纯的Mg合金相比,该材料具有更高的强度、更高的阻尼和更好的耐磨性等显著特点,可广泛用于航天、军工、交通运输、机械制造等领域的关键器件。
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“高强度高阻尼Ti2AlC‑Mg基复合材料及其铸造制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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