本发明公开了一种在柔性碳基底生长垂直二硫化钨的方法、二硫化钨‑碳
复合材料及应用。所述方法包括:在
碳纳米管薄膜上生长形成碳镀层,得到碳镀层/碳纳米管复合薄膜;在其表面生长三氧化钨,得到三氧化钨/碳镀层/碳纳米管复合薄膜;再进行硫化处理,使形成的二硫化钨纳米片垂直生长于碳镀层/碳纳米管复合薄膜上,制得二硫化钨‑碳复合材料。本发明通过化学气相沉积方法,在易于滑移变形的CNT薄膜表面沉积碳镀层,可阻止CNTs的滑移,改善基底的稳定性,进而有效实现二硫化钨纳米片的垂直生长,制备过程简单,易于控制;并且,制备得到的二硫化钨纳米片垂直率高,在很大程度上保证较多的活性边缘暴露,在
电化学领域应用前景广泛。
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