本发明涉及
石墨烯的技术领域,尤其涉及一种石墨烯增强铜
复合材料的制备方法。一种通过化学气相沉积法在金属铜粉末表面均匀生长石墨烯的方法,以达成铜表面紧密附生均匀的寡层石墨烯纳米片,提升铜的力学性能且不降低导电性能的目的,通过给雾化铜粉颗粒包覆寡层石墨烯来增加合金的力学强度,与此同时还能保证该复合材料的高导电性;通过CVD法在雾化铜粉末表面直接生长石墨烯,可避免机械复合法带来到的破坏原材料结构的弊端,有效且均匀的包覆在铜粒子表面;可生成高品质、与金属结合紧密的寡层石墨烯,且操作简便,易于放大产业化。
声明:
“石墨烯增强铜复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)