本发明涉及一种用于C/ZrC‑SiC
复合材料的陶瓷防护层及其制备方法。所述陶瓷防护层包括在C/ZrC‑SiC复合材料上依次形成的(TiZrHfTa)C
x‑SiC过渡层、(TiZrHfTa)C
x抗氧化涂层和SiC封孔层。所述方法为:通过PIP工艺制备(TiZrHfTa)C
x‑SiC过渡层;通过刷涂工艺在所述过渡层的基础上制备(TiZrHfTa)C
x抗氧化涂层;通过化学气相沉积工艺在所述抗氧化涂层的基础上制备SiC封孔层,得到陶瓷防护层。本发明制备的陶瓷防护层能够在2500℃以上温度具有优异的抗氧化性能,还与基体具有很高的结合力,在新型高超声速飞行器的端头、发动机等结构件上具有广阔的应用前景。
声明:
“用于C/ZrC-SiC复合材料的陶瓷防护层及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)