本发明公开了一种含硫空位的硫化铟镉‑硫化镉(CdIn
2S
4‑CdS)二维(2D)
复合材料及其制备方法和应用,所述CdIn
2S
4‑CdS复合材料中,片状CdIn
2S
4复合于片状CdS,形成异质结。本发明通过水热处理将前驱体Cd
3(C
3S
3N
3)
2分解的同时进行离子交换,构建2D CdIn
2S
4‑2D CdS,异质结的存在可以快速转移其界面的电子空穴,实现高效的电荷分离;另外,硫空位可以吸附和活化氧气,产生大量氧活性物质。
声明:
“含硫空位的硫化铟镉-硫化镉二维复合材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)