本发明公开了一种构织后硅片表面沉积铜及铜氧化物的Cu/CuO@SiNWs光电
复合材料的制备方法,具体包括以下步骤:将N型平面单晶硅片超声清洗,将其置于浓强酸与氧化剂的混合溶液中浸渍后去离子水冲洗,再用HF溶液浸渍;将处理后硅片浸入AgNO3和HF的混合溶液中,去离子水冲洗后浸入HF和H2O2的混合溶液中清洗、干燥后完成硅片刻蚀;将SiNWs浸入HF溶液中除去表面氧化膜,用PdCl2溶液活化后进行化学镀铜,去离子水清洗、干燥;再将获得的硅‑铜复合材料置于马弗炉内于保护性混合气氛(含还原性气体)中程序升温焙烧即得复合光电材料,
电化学性能测试表明所获材料具有较高的PEC分解水性能和稳定性。
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