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Cu/CuO@ SiNWs光电复合材料及其制备方法

734   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:23:01
本发明公开了一种构织后硅片表面沉积铜及铜氧化物的Cu/CuO@SiNWs光电复合材料的制备方法,具体包括以下步骤:将N型平面单晶硅片超声清洗,将其置于浓强酸与氧化剂的混合溶液中浸渍后去离子水冲洗,再用HF溶液浸渍;将处理后硅片浸入AgNO3和HF的混合溶液中,去离子水冲洗后浸入HF和H2O2的混合溶液中清洗、干燥后完成硅片刻蚀;将SiNWs浸入HF溶液中除去表面氧化膜,用PdCl2溶液活化后进行化学镀铜,去离子水清洗、干燥;再将获得的硅‑铜复合材料置于马弗炉内于保护性混合气氛(含还原性气体)中程序升温焙烧即得复合光电材料,电化学性能测试表明所获材料具有较高的PEC分解水性能和稳定性。
声明:
“Cu/CuO@ SiNWs光电复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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