发明涉及半导体
复合材料技术领域,特别涉及一种贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法。其步骤包括:将平面导电材准备;在非离子型高分子化合物中加入无水乙醇,搅拌,溶液中通氧10‑20分钟;溶液中加入金属氯化物,搅拌溶解;加入贵金属化合物溶液和非离子型表面活性剂,搅拌并缓慢加入碱性溶剂和水,形成溶胶;制备好的溶胶滴平面导电材料上,旋涂,使其表面覆盖;然后300‑600℃煅烧1‑3小时,冷却、水洗、吹干即可。该表现出极好的表面性质,薄膜均匀致密且稳定性良好,便于进行下一步材料的组装。
声明:
“贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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