本发明涉及一种碳化硅陶瓷基
复合材料的双重自愈合改性方法,技术特征在于:采用纤维预制体为增强体,化学气相渗透制备热解炭界面,化学气相渗透制备碳化硅基体,交替化学气相渗透制备碳化硅和非晶碳化硼基体(α-B4C)至复合材料密度大于2.0g.cm-3,化学气相沉积2层碳化硅涂层,刷涂+烧结法进行硼硅酸盐玻璃封填。该方法设计性强、工艺简单、可重复性好,可显著提高CMC-SiC的抗氧化性能,可满足高推重比航空发动机密封片/调节片、内锥体、浮壁瓦片和火焰筒等构件对长寿命CMC-SiC的应用需求。
声明:
“碳化硅陶瓷基复合材料的双重自愈合改性方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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