本发明公开了一种掺氮晶型金刚石
半导体材料,属于金刚石半导体领域。其中,所述掺氮晶型金刚石半导体
复合材料包括以高温高压法制得的IIa型金刚石晶体作为衬底材料,以CH
4、Ar和NH
3作为气体源,在衬底材料上生长出的掺氮晶型金刚石。本发明进一步公开了制备所述掺氮晶型金刚石半导体材料的方法。利用本发明制备的掺氮晶型金刚石半导体材料,具有较好的电学性能和半导体性能,可以推动金刚石半导体器件的发展,也将有助于金刚石基半导体器件的产业化发展。
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