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应用于多芯片T/R组件封装壳体的高硅铝复合材料的镀金方法

836   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:18:04
本发明公开了一种应用于多芯片T/R组件封装壳体的高硅铝复合材料的镀金方法,该方法的前处理按常规铝合金电镀二次浸锌处理方法分为清洗除油、碱蚀、出光、一次浸锌、退锌和二次浸锌六个步骤;之后的操作步骤如下:1.在化学镀镍液中预镀化学镍;2.按常规镀镍方法第一次镀镍,镍层厚度2~3微米;3.时效处理;4.活化处理;5.按常规镀镍方法第二次镀镍,镍层厚度2~3微米;6.以纯金板或铂金钛网作为阳极,高硅铝复合材料为阴极,按常规镀纯金的方法,金层厚度2~3微米;7.镀层结合力检测。10倍放大镜下观察镀层无起皮鼓泡现象,镀层结合力很好。
声明:
“应用于多芯片T/R组件封装壳体的高硅铝复合材料的镀金方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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