一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的
复合材料薄片的制备方法,涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚,难以在浆料中均匀分散的问题。方法:一、称料;二、SiC纳米线预分散;三、SiC纳米线低损伤球磨分散;四、除气处理;五、流延成型;六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法,该方法工艺简单,SiC纳米线沿流延成型方向排列,能够解决SiC纳米线极易团聚的问题,对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。
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“包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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