本发明属于环境材料制备技术领域。特指一种
复合材料光催化剂及制备方法及应用。采用原位生长法制备一种AgInS
2量子点修饰的花球状MoS
2复合半导体并负载于GO上,得到AgInS
2‑MoS
2/GO复合材料光催化剂,在提高AgInS
2量子点分散性的同时也能实现对AgInS
2‑MoS
2复合金属多硫化物异质结能带调控的目的;通过控制
半导体材料的形貌可以有效调控光催化剂的能带结构、与其他材料复合的界面效应以及与污染物的接触面积等,从而进一步提高光催化活性。
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“复合材料光催化剂及制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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