本发明公开了一种高体积分数碳化硅颗粒增强铝基
复合材料的制备工艺,属于铝基复合材料技术领域。该工艺采用
粉末冶金法,将SiC颗粒表面低温氧化处理后,将SiC颗粒、
铝合金粉末、镁粉均匀混合后,装入模具,冷压后,分别在低温和高温热压烧结。本发明通过SiC颗粒表面低温预氧化、添加镁粉作为助烧剂、分步热压等工艺相结合的方法,可有效促进SiC颗粒与铝基体的润湿性,增强两者的界面结合,消除界面附近孔洞缺陷,大幅提升材料致密度和性能,同时降低热压压力,减少模具成本和对大型设备的依赖性,大幅降低材料制备成本,提高高体分SiC/Al坯锭尺寸,实现高致密度、高性能、高体分SiC/Al低成本制备。
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“高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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