本文涉及一种C/SiC陶瓷基
复合材料的修复方法,打磨试样表面,清洗干燥,用HF腐蚀试样,清洗烘干,再用超声清洗,烘干后浸泡于Ni(NO
3)
2·6H
2O的丙酮溶液中,真空干燥,用石墨纸包住试样,只露出断口。把试样放入真空炉中,通入C
2H
2、H
2和Ar,保温10~150h,关闭C
2H
2和H
2,保温10~100min,通入C
3H
6,保温5~12h,关闭C
3H
6,通入三氯甲基
硅烷和H
2,保温50~300h,取出试样,去掉石墨纸,打磨修复表面,把处理后的样品放到真空炉中,通入三氯甲基硅烷、H
2和Ar,保温5~30h,采用等离子喷涂法表面喷涂硅酸钇和莫来石组成的复合涂层。本发明可以修复C/SiC复合材料在服役过程中易产生的主要损伤,修复完成后,材料组成不发生改变,并提高材料在高温环境下的抗氧化性能。
声明:
“C/SiC陶瓷基复合材料的修复方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)