本发明公开了一种制备高硅含量(40-70wt.%Si)硅铝
复合材料的方法。采用熔铸法制备低硅
铝合金坯料,Si含量为20-30wt.%;坯料加热至铝硅二元合金液固两相温度区(共晶温度以上5~30℃),保温一定时间获得半固态浆料6;浆料6置于带有分离机构5的模具型腔8中,通过压头9施加一定压力,使液相通过分离机构5流入型腔3中,留在型腔8中的剩余富硅相半固态浆料在压力作用下凝固,获得含(40-70wt.%)Si的高硅铝复合材料。该工艺方法流程短、成本低,制备的高硅铝材料具有高致密度、轻质、低膨胀、高导热、良好的力学性能等特点,适用于高性能电子封装壳体制作。
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