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反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法

993   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:13:02
本发明属于有机‑无机杂化半导体材料技术领域,具体为一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法;本发明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料的形貌为纳米立方体构成的薄膜结构,由Ga3+和In3+离子联合调控能级形成反型Cs2SnI6结构,晶型为面心立方结构,表面形貌为纳米立方体且表面分布有中空结构;本发明制备得杂化薄膜表面均一、致密,同时具有良好晶体学特性和光电性能,在太阳能光伏器件、发光二极管、传感器等领域具备良好的应用前景;并且,其制备方法无需高温煅烧,生产工艺简单、生产效率好、合成成本低且环保节能,适合大规模工业化制造。
声明:
“反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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