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在Si/C复合材料上生长石墨烯的方法、利用该方法制得的材料以及其应用

604   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:11:01
本发明涉及一种在Si/C复合材料上生长石墨烯的方法、利用该方法制得的材料以及其应用。该方法包括:(1)利用化学气相沉积法在Si/C复合物上依次沉积镍膜和铜膜,得到Cu/Ni/Si/C复合物;(2)将Cu/Ni/Si/C复合物置于氩气和氢气的环境下进行退火处理;(3)再利用化学气相沉积法将经步骤(2)处理后的Cu/Ni/Si/C复合物置于甲烷和氢气的气氛下反应,再在氩气的保护下冷却至室温,从而在Si/C复合材料上生长出石墨烯。该方法减少了石墨烯在电芯材料中的添加或对石墨烯薄膜的转移、涂敷工艺,能够避免破坏已有石墨烯的化学性质。
声明:
“在Si/C复合材料上生长石墨烯的方法、利用该方法制得的材料以及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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