一种单壁
碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体
复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用,属于碳
纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列,垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列,然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W,再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。
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“单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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