本发明提出了一种高ZT值的BiSbTe基纳米
复合材料的制备方法,包括如下步骤:将Bi粉末、Sb粉末、Te粉末和SiC粉末在球磨机中研磨后进行放电等离子烧结,得到块体Bi0.3Sb1.7Te3+xvol%SiC,其中,x=0.1,0.4或0.6。本发明的制备方法,将SiC纳米粒子分散入BiSbTe基体中能够有效提高热电性能。本发明制备的纳米复合材料中,SiC纳米粒子与Bi0.3Sb1.7Te3基体形成了共格界面,同时提高了电导率和Seebeck系数,同时通过增强声子散射降低了热导率,SiC纳米粒子进一步赋予BiSbTe材料优秀的机械性能,有利于实际应用和器件制备。
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