本发明公开一种基于ZIF‑8衍生Pd‑ZnO的光激发高选择性室温氢气传感器制备方法。通过调控材料含量与添加顺序,将Pd固定在ZIF‑8的孔隙及表面,并通过碳化烧结工艺制备得到Pd‑ZnO纳米
复合材料。利用紫外光的电学激发与活化特性,将上述Pd‑ZnO纳米复合材料制备成传感器后,暴露于365nm紫外光下,可实现对氢气的高选择性室温检测。本发明针对现有金属氧化物半导体型氢气传感器工作温度高、低温下响应/恢复时间长以及选择性差等问题,提出了一种在室温下对氢气高选择性响应的方法。本发明方法具有传感器制备简单、室温下对氢气具有高选择性响应以及高稳定性等优点,在大力发展氢能源的背景下,研发此类光激发代替热激发的本质安全型室温响应氢气传感器,具有广阔应用前景。
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