本发明提供了一种一维
碳纳米管和三维
石墨烯复合材料图形化生长方法,隶属微纳制造领域。该方法先对生长基底进行图形化处理,再对图形化后的生长基底进行制绒处理,然后采用磁控溅射方法在生长基底上沉积催化剂,再复合生长一维碳纳米管和三维石墨烯,最后将一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料从生长基底上剥离。该方法解决了传统工艺中程序复杂,且不能直接从生长基底剥离的问题,此方法可以直接把图形化后的石墨烯复合材料应用于柔性器件等领域。
声明:
“一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料图形化生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)