本发明涉及一种以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结的层级
复合材料,依以下方法制备:(1)首先对硅片进行亲水处理,在其表面生长二氧化钛晶种,并置于马弗炉内煅烧;(2)然后将步骤(1)中所得到的表面附有二氧化钛晶种的硅片置于反应釜中,采用水热合成的方法在硅片表面诱导生长二氧化钛纳米棒;(3)最后在步骤(2)中得到的二氧化钛纳米棒上沉积聚吡咯纳米粒子,得到以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结层级复合材料。本发明所涉及的以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结层级复合材料具有优异的降低材料表面光反射和高效分离光生电荷的能力,可以应用到光催化、光电转化器件和
太阳能电池等领域。
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“以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结的层级复合材料及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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