一种PTFE高频金属基纳米
复合材料电路基板的制作方法,包括(1)制作基板纳米复合介质层,采用PTFE粉和TiO2粉按一定比例进行混合并加入半固态纳米复合材料,复合介质材料置于模具中经高温压合形成基板纳米复合介质材料层;(2)制作PTFE分散液与玻璃布浸胶粘结片,然后高温烧结后制得玻璃布浸胶粘胶片;(3)制作PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板将绝缘介质材料层设置在铜箔的上方后经高温环境带压加工压制成型;本发明的优点是:具有良好的强度和绝缘性能,制作成本低,适用钻孔、冲剪及切割等常规机械加工,降低加工成本,能承受机械和热应力,适用功率组件表面贴装SMT工艺,无需散热器,体积大大缩小,散热效果极好。
声明:
“PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)